Die Smartphone-Industrie befindet sich derzeit in einem aggressiven Wettrüsten. Während Hersteller auf höhere Taktraten drängen, um die Konkurrenz zu übertreffen, stoßen sie auf eine physische Hürde: Hitze. Den neuesten Berichten zufolge strebt Qualcomm nach einer von Samsung entwickelten speziellen Kühllösung namens Heat Pass Block (HPB)-Technologie, um den thermischen Anforderungen seines kommenden Snapdragon 8 Elite Gen 6 gerecht zu werden.
Seit Jahren verlassen sich Smartphones auf Dampfkammern und Graphitplatten, um die Innentemperaturen unter Kontrolle zu halten. Allerdings stoßen diese passiven Kühlsysteme an ihre Grenzen. Es gibt Gerüchte darüber, dass Qualcomm seine Leistungskerne der nächsten Generation auf gewaltige 5 GHz testet. Daher reichen die „alten Methoden“ der Kühlung im beengten Innenraum eines modernen Telefons einfach nicht mehr aus.
Qualcomm übernimmt die HPB-Kühltechnologie von Samsung im Snapdragon 8 Gen 6
Samsung hat sein Heat Pass Block-System ursprünglich für den Exynos 2600 entwickelt. Um seine Bedeutung zu verstehen, müssen wir uns ansehen, wie Telefone derzeit gebaut werden. Bei herkömmlichen Designs sitzt der RAM-Chip direkt auf dem Prozessor. Dadurch entsteht eine „Wärmefalle“, die dem SoC das Atmen erschwert.
Der HPB-Ansatz verändert das Layout komplett. Dabei wird ein kupferbasierter Kühlkörper verwendet, der direkt auf dem Siliziumchip platziert wird und den DRAM-Chip zur Seite verschiebt. Da Kupfer ein außergewöhnlicher Leiter ist, kann die Wärme viel effizienter aus dem Prozessor entweichen. Erste Daten deuten darauf hin, dass diese Methode den Wärmewiderstand um etwa 16 % verbessern kann. Dieser Spielraum könnte beim Umgang mit Hochleistungshardware von entscheidender Bedeutung sein.
Die gemeldeten 5 GHz erfordern eine bessere Kühlung
Qualcomms aktuelles Flaggschiff, der Snapdragon 8 Elite Gen 5, ist bereits ein Kraftpaket, erreicht seine Spitzenwerte jedoch dadurch, dass es deutlich mehr Strom verbraucht als seine Konkurrenten. Wenn die Gerüchte über eine Taktrate von 5 GHz für die 6. Generation zutreffen, wird der Stromverbrauch – und die daraus resultierende Hitze – noch größer sein.
Die Umstellung auf einen 2-nm-Herstellungsprozess trägt zur Effizienz bei. Aber Lithographie allein kann die thermischen Probleme, die durch solch anspruchsvolle Leistungsziele verursacht werden, nicht lösen. Durch die mögliche Übernahme der HPB-Technologie von Samsung könnte Qualcomm möglicherweise ermöglichen, dass der Snapdragon 8 Elite Gen 6-Chip diese hohen Geschwindigkeiten über längere Zeiträume aufrechterhält, ohne dass das Gerät unangenehm heiß wird oder das System zum Schutz der Hardware einen Leistungsabfall erzwingt.
Wenn das Leck wahr ist, bedeutet dies eine bessere Dauerleistung beim Spielen oder beim intensiven Multitasking. Da wir uns dem Ende des Jahres nähern, werden alle Augen darauf gerichtet sein, ob diese neue Kühlarchitektur den ehrgeizigen 5-GHz-Meilenstein wirklich bewältigen kann.
