Das Entwicklungstempo der chinesischen Halbleiterindustrie ist rasend schnell. So schnell, dass es droht, die historische Führungsposition der südkoreanischen Hersteller im Markt der digitalen Speichertechnologien zu übernehmen. Nachdem DDR5-Renditen von 90 % konsolidiert wurden und ein Volumen prognostiziert wird, das der monatlichen Produktion von Micron gleichkommen soll, hat der Verband der koreanischen Halbleiterindustrie eine Warnung ausgesprochen, die niemanden kalt lässt.
Um es stark zu vereinfachen – und gemäß der Organisation – hat sich die technologische Kluft Südkoreas bei HBM auf drei Jahre reduziert, zwei Jahre bei konventionellem DRAM und kaum ein Jahr bei NAND-Flash-Speichern. China zieht weiter an und rückt Südkorea immer näher.
Dies bedeutet eine beträchtliche Verringerung der Abstände, die vor nur wenigen Auswertungen noch bei 5 Jahren oder mehr lagen. CXMT macht beispielsweise bereits Tests mit seiner Fünfte-Generation-Speichertechnik HBM3E zusammen mit lokalen Designfirmen wie T-Head, einer Tochter des Alibaba-Konsortiums. Außerdem gibt es Pläne, diese Module im kommenden Jahr in kommerziellen Geräten zu integrieren. Die chinesischen Designer rücken damit nur noch eine Stufe von der HBM4-Speichertechnologie entfernt auf, die von etablierten Firmen wie Samsung und SK hynix dominiert wird.
Eine unaufhaltsame Entwicklung trotz US-Restriktionen
Die rasche Entwicklung Chinas fällt besonders auf, wenn man die Beschränkungen der Vereinigten Staaten im Handel mit fortschrittlicher Lithografietechnik berücksichtigt. China hat weiterhin keinen Zugang zu den extremen UV-Scannern bzw. EUV-Systemen von ASML, die das Drucken winziger Schaltkreise ermöglichen würden.
Deshalb haben die chinesischen Hersteller ihre Anstrengungen in die nachgelagerte Integrationsarchitektur verlagert. So ermöglicht etwa die X-Stacking-Verbindung von YMTC das direkte Verknüpfern von Wafern, verkürzt physische Spuren und maximiert die Bandbreite, ohne auf lithografische Systeme der neuesten Generation zurückzugreifen.
Und was die Massenproduktion dreidimensionaler Module betrifft, koordiniert CXMT seine Abläufe mit nationalen Partnern. Zugleich zielen Projekte wie Huaweis logische Faltung darauf ab, Dichtewerte zu erreichen, die Knoten von 1,4 Nanometern entsprechen, durch alternative Architekturen ohne UV-Lithografiemaschinen.
Diese kreativen Lösungen der chinesischen Unternehmen ermöglichen eine Reduktion von drei Jahren Forschung auf zwölf Monate intensiver Arbeit, wie akademische Analysten der Hanyang-Universität bestätigen.
Die Versorgungskrisen bei Bauteilen: Eine Chance für CXMT
Ein weiterer Punkt, den die befragte Quelle anführt und den wir nicht außer Acht lassen dürfen, ist, dass Samsung und SK hynix sich auf Chips für KI-Rechenzentren konzentrieren. Interessanterweise hat diese Ressourcenverlagerung den Weg für Wettbewerber geebnet.
Die 98%-Preiserhöhung bei Standard-DDR5-Speicher während des ersten Quartals aufgrund von weltweiten Engpässen ermöglichte es chinesischen Unternehmen, lukrative Aufträge zu sichern. Sogar Apple hat CXMT angefragt. In der Tat erreichte dieser Hersteller im zweiten Quartal einen Marktanteil von 10 % am weltweiten DRAM-Markt, während YMTC seinen Anteil am NAND-Speicher weltweit auf 14 % steigerte.
Das spiegelt sich auch in den Bilanzen beider Unternehmen wider. Im ersten Halbjahr stiegen die Einnahmen von CXMT gegenüber dem Vorjahreszeitraum um 873,6 % auf 22,4 Milliarden US-Dollar, woraus ein Nettogewinn von 77,6 Milliarden Yuan resultierte und eine operative Marge von 82 %, die das Chipgeschäft von Samsung übertrifft.
Ob die Resultate derzeit schon vollständig positiv ausfallen, bleibt abzuwarten; dennoch fließt 64 % des Umsatzes aus Auslandsmärkten in die Forschung und Entwicklung von HBM. Das ist ein Reinvestitionszyklus, der seinen koreanischen Konkurrenten ernsthaft Sorgen bereiten dürfte.
