Die aktuelle Speicherkrise ist dafür verantwortlich, dass wir wesentliche Bauteile für Heim-PCs so teuer sehen, dass ihr Preis sich bis zum Fünffachen erhöht. Ein Beispiel sind die NVIDIA RTX 5090 Grafikkarten, die mit 32 GB VRAM Preise von bis zu 10.000 Euro erreichen. Doch die Speicherhersteller machen weiter Fortschritte, um die KI-Industrie mit größerer Stückzahl dieses Bauteils zu versorgen, doch werden sie dabei immer teurer. Micron plant bis 2027 NAND-3D-Speicher mit 400 Schichten und Wafer-auf-Wafer-Verkettung anzubieten.
Micron bereitet seine NAND-3D-G11-Speicher mit bis zu 400 Schichten vor
Dies ist der NAND-Flash G11-Speicher des Herstellers Micron, der erste 3D-NAND-Flash-Speicher des Unternehmens. Derzeit verfügt Micron über 200-Lagen-Speicher mit der aktuellen Generation G9, doch die Einschränkungen haben das Unternehmen dazu gebracht, sich dem vertikalen Stapeln für die nächste Speichergeneration zuzuwenden. Um die Kapazität der NAND-3D-Speicher zu verdoppeln, hat Micron beschlossen, eine Wafer-auf-Wafer-Verkettung zu verwenden, eine Technologie, die ihm ermöglicht, mehr Dichte bei gleichem Raum zu gewinnen.
So funktioniert die Wafer-auf-Wafer-Verbindung zur Erhöhung der Dichte
Um diese Technologie zu nutzen, werden zwei Wafer mit unterschiedlichen Bausteinen eingesetzt, die dann vertikal gestapelt werden. Einer trägt die Speicherszelle, die den gesamten Raum ausnutzt, während der andere Wafer die notwendige Logik für den Betrieb enthält. Anschließend verbinden sie sich mit einer hybriden Verbindung, die miteinander kommuniziert und sich festigen, um einen einzigen Speicherkernchip zu bilden.
Micron plant, die Dichte seiner NAND-3D im Jahr 2027 zu verdoppeln
Micron beabsichtigt, diese Technologie erst in der zweiten Hälfte des Jahres 2027 zu verwenden und so NAND-3D-Flash-Speicher mit bis zu 400 Schichten zu entwickeln, wodurch diese 3D-Stapeltechnologie, die YMTC bereits seit einigen Jahren mit Xtacking verwendet, weiter vorangetrieben wird. Diese Speicher werden in der Lage sein, die aktuelle Dichte von 21 Gb/mm2 auf 42 Gb/mm2 zu verdoppeln und auch ihre Geschwindigkeit auf bis zu 5.400 MT/s zu erhöhen. Diese neue Technologie wird auch bis zu 25 % Energieeinsparung pro Bit mit der kommenden G11-Generation von Micron ermöglichen.
Juan Antonio Soto
Ich bin Informatikingenieur und meine Spezialgebiete sind Automatisierung und Robotik. Meine Leidenschaft für Hardware begann im Alter von 14 Jahren, als ich meinen ersten Computer aufschraubte: einen 386 DX 40 mit 4 MB RAM und 210 MB Festplatte. Ich lasse meiner Leidenschaft in den technischen Artikeln, die ich bei Geeknetic schreibe, weiterhin freien Lauf. Die meiste Freizeit widme ich Videospielen, zeitgenössisch und retro, auf mehr als 20 Konsolen, zusätzlich zum PC.
