Auch wenn Samsung bei der Herstellung der ersten HBM4E-Speicherchips zu Beginn Bandbreiten von bis zu 13 Gbps pro Pin versprach und später auf 14 Gbps pro Pin hochschnellte. Es scheint, dass das Unternehmen daran gearbeitet hat, diese Zahl zu erhöhen und zumindest laut der filtrierten Samsung-Folie auf dem Hot Chips 2026 16 Gbps pro Pin zu erreichen.
Die anfänglichen 13 Gbps der Daten des südkoreanischen Unternehmens wurden bald zu niedrig, nachdem SK Hynix angekündigt hatte, die ersten Muster seiner eigenen HBM4E-Chips mit 16 Gbps pro Pin zu versenden – eine Geschwindigkeitssteigerung, die Samsungs Speicher von Anfang an mit einem klaren Nachteil ausstattete.
Mit 16 Gbps pro Pin kann Samsung nun mit SK Hynix auf Augenhöhe konkurrieren, und zwar mit seinen 12-Schichten-HBM4E-Chips.
Durch das neue Update holt Samsung auf und kann nun Schritt für Schritt mit SK Hynix konkurrieren, da seine Speicher eine Bandbreite von 4 TB/s pro gestapeltem HBM4E-Chip liefern können, derselbe Wert wie die Modelle von Samsung nach dieser Bandbreitenverbesserung.
Konkret werden Samsungs HBM4E-Chips 12 Schichten umfassen, mit einer Dichte von 48 GB pro Chip, wobei erwartet wird, dass sie zukünftig auf Chips mit 16 Schichten und 64 GB umsteigen, neben Modellen mit geringerer Kapazität je nach Bedarf der Kunden.
Antonio Delgado
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