Letzten Monat tauchte ein Bericht auf, dass Samsung plant, seinen 3-nm-Prozess der zweiten Generation umzubenennen und ihn verwirrenderweise 2 nm zu nennen. Obwohl unklar ist, warum das Unternehmen das tun würde, hat ein neuer Bericht mehr Licht auf seinen tatsächlichen 2-nm-Prozess geworfen. Das koreanische Unternehmen arbeitet an der Verbesserung seiner GAA-Transistorarchitektur (Gate All Around) für den neuen Prozessknoten. Ziel ist es, im Jahr 2025 mit der 2-nm-Massenproduktion zu beginnen.
Samsung bereitet die Massenproduktion von 2-nm-GAA-Chips im Jahr 2025 vor
Samsung hat in seiner Halbleiter-Roadmap seit langem das Jahr 2025 als das Jahr der 2-nm-Massenproduktion markiert. Ein neuer Bericht von Business Korea legt nahe, dass das Unternehmen auf dem richtigen Weg ist, dieses Ziel zu erreichen. Derzeit entwickelt das Unternehmen seine GAA-Technologie der dritten Generation, die es auf seine 2-nm-Chips anwenden möchte. Das koreanische Unternehmen wechselte erstmals im Jahr 2022 für seine 3-nm-Chips zur GAA-Architektur. Die GAA-Technologie der zweiten Generation wird auf den 3-nm-Prozess der zweiten Generation angewendet.
Dem neuen Bericht zufolge wird Samsung auf dem VLSI-Symposium (Very Large Scale Integration) 2024 einen Vortrag zur GAA-Technologie halten. Die prestigeträchtige globale Halbleiterkonferenz findet vom 16. bis 20. Juni in Hawaii statt. Es handelt sich um eine der größten Halbleiterkonferenzen in der Welt zusammen mit der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) und dem International Electron Devices Meeting (IEDM).
Samsung ist derzeit das einzige Unternehmen, das GAA-Technologie in Massenproduktion herstellt. Sein Erzrivale TSMC begann ebenfalls im Jahr 2022 mit der Herstellung von 3-nm-Chips, doch das taiwanesische Unternehmen blieb bei der älteren FinFET-Transistorarchitektur. Das Unternehmen plant, im nächsten Jahr die GAA-Technologie auf seinen 2-nm-Chips einzusetzen. Daher wird Samsung zu Beginn der 2-nm-Ära im Jahr 2025 einen technologischen Vorsprung haben. Es bleibt abzuwarten, ob das Unternehmen diesen Vorteil ausnutzt.
Die GAA-Transistorarchitektur trägt dazu bei, die Leistung und Energieeffizienz von Chips zu verbessern. Es ermöglicht auch ein kompakteres Chipdesign. Samsungs GAA-Technologie der ersten Generation bot eine Reduzierung der Chipgröße um 16 %, eine Leistungssteigerung um 23 % und eine um 45 % höhere Energieeffizienz. Die Lösung der zweiten Generation soll eine Flächenreduzierung von 35 %, eine um 30 % bessere Leistung und eine um 50 % höhere Effizienz bringen. Die GAA-Technologie der dritten Generation wird weitere Verbesserungen bringen.
Samsung Foundry muss sich noch große 3-nm-Verträge sichern
Obwohl Samsung die weltweit erste Gießerei ist, die mit der 3-nm-Massenproduktion mit der GAA-Architektur begonnen hat, muss Samsung noch größere Fertigungsverträge abschließen. TSMC hingegen hat bereits 3-nm-Chips für Apple hergestellt, den A17 Pro für das iPhone 15 Pro und das iPhone 15 Pro Max. Die Zeit wird zeigen, ob Samsung in der 2-nm-Ära das Blatt zu seinen Gunsten wenden kann. Berichten zufolge hat Qualcomm 2-nm-Muster vom Unternehmen angefordert.
