UFS 4.0-Flash-Speicher gibt es schon seit einiger Zeit. In Bezug auf die Lese- und Schreibgeschwindigkeit ist es etwa doppelt so schnell wie UFS 3.1. Heutzutage verwenden alle großen Flaggschiffe es, und das schon seit geraumer Zeit. Nun, das Samsung Galaxy S25 könnte noch einen drauflegen und am Ende sogar noch schnelleren Speicher bieten.
Die Galaxy S25-Serie könnte mit schnellerem Speicher ausgestattet sein
Samsung Semiconductor hat eine Art Roadmap veröffentlicht, die die Details verrät. Nächstes Jahr, im Jahr 2025, plant Samsung, UFS 4.0 4-Lane CS anzubieten. Dieser Speicher kombiniert zwei UFS-Controller für eine erhöhte sequentielle Lesegeschwindigkeit.
Es sieht so aus, als ob UFS 4.0 4-Lane CS eine Geschwindigkeit von 8 GB/s erreichen wird, verglichen mit 4 GB/s beim aktuellen UFS 4.0-Speicher. Es wird also etwa doppelt so schnell sein. Samsung betont, dass dies die Ladezeiten und KI-Anwendungen auf dem Gerät verbessern wird.
Wir sind uns jedoch nicht sicher, ob dieser Speicher für das Galaxy S25 bereit sein wird. Es wird erwartet, dass es irgendwann im Jahr 2025 auf den Markt kommt, die Produktion soll 2024 beginnen. Die Galaxy S25-Serie wird Anfang 2025 erwartet, höchstwahrscheinlich im Januar, also … es bleibt abzuwarten.
Die Veröffentlichung von UFS 5.0 ist nicht vor 2027 geplant
Laut Samsungs Roadmap müssen wir jedoch bis 2027 auf UFS 5.0 warten. UFS 5.0 wird Geschwindigkeiten von 10 GB/s bieten können. Es wird also erwartet, dass das Galaxy S27 mit diesem Speicher auf den Markt kommt, wenn alles nach Plan läuft und Samsung seinem Namensschema treu bleibt.
Wenn man bedenkt, dass das UFS 4.0 4-Lane CS gegenüber UFS 4.0 eine deutliche Steigerung bieten wird, gehen wir davon aus, dass viele OEMs es ab dem nächsten Jahr nutzen werden. Viele Unternehmen entscheiden sich bei ihren Flaggschiff-Smartphones für den schnellsten RAM und Speicher. Das ist angesichts der heutigen Preise für Flaggschiff-Smartphones zu erwarten.
