Samsung bereitet die Einführung KI-fokussierter 2-nm-Chips im Jahr 2025 vor

Oscar

Samsungs Halbleitergießerei ist auf dem besten Weg, 2025 2-nm-Chips und 2027 1,4-nm-Chips in Massenproduktion herzustellen. Auf dem laufenden Samsung Foundry Forum (SFF) in San Jose, Kalifornien, gab das Unternehmen bekannt, dass die Entwicklung seiner Prozesstechnologie wie geplant reibungslos voranschreitet. Das koreanische Unternehmen kündigte außerdem zwei neue Prozessknoten und KI-Lösungen für die nächste Elektronikgeneration an.

Samsung bereitet die Einführung von 2-nm-Mobilchips im nächsten Jahr vor

Samsung strebt schon lange an, 2025 mit der 2-nm-Massenproduktion zu beginnen. Kurz nach der Einführung seines ersten 3-nm-Chips im Jahr 2022, der auf seinem 3GAE-Prozessknoten hergestellt wurde, enthüllte das Unternehmen seine Halbleiter-Roadmap für die nächsten fünf Jahre. Es plant, den 3-nm-Prozessknoten der zweiten Generation (3GAP) im Jahr 2024 auf den Markt zu bringen. Der Exynos 2500, der Anfang nächsten Jahres die Galaxy S25-Serie antreiben soll, wird wahrscheinlich im 3GAP-3-nm-Prozess hergestellt.

Der Fahrplan enthüllte außerdem, dass Samsung 2025 2-nm-Chips einführen wird, gefolgt von einem 2-nm-Prozessknoten der zweiten Generation im Jahr 2026. Schließlich würde das Unternehmen 2027 in die Sub-2-nm-Ära eintreten und einen 1,4-nm-Chip auf den Markt bringen. Gleichzeitig würde das koreanische Unternehmen seine Produktionskapazität für fortschrittliche Chips kontinuierlich steigern. Die Gesamtkapazität soll zwischen 2022 und 2027 um mehr als das Dreifache steigen.

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Samsung sagt, dass sich seine Halbleitertechnologie in diese Richtung entwickelt. Auf der SFF stellte das Unternehmen einen verbesserten 2-nm-Prozessknoten namens SF2Z vor. Er soll 2027 in Massenproduktion gehen und reduziert den Spannungsabfall im Vergleich zum 2-nm-Knoten der ersten Generation (SF2) und „verbessert so die Leistung von HPC-Designs“. Dank der Backside Power Delivery Network (BSPDN)-Technologie verbessert er außerdem Leistung, Leistung und Fläche (PPA).

Der koreanische Technologiegigant hat auf der SFF auch eine hochwertige 4-nm-Variante vorgestellt. Der neue 4-nm-Prozessknoten mit dem Namen SF4U „bietet PPA-Verbesserungen durch optische Schrumpfung“. Samsung beabsichtigt, die Massenproduktion dieses Knotens parallel zu seinem 2-nm-Knoten der ersten Generation im Jahr 2025 zu starten. Das Unternehmen sagt, es „gestalte auch aktiv zukünftige Prozesstechnologien unter 1,4 nm durch Material- und Strukturinnovationen“.

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Die GAA-Transistorarchitektur ist im KI-Zeitalter unverzichtbar geworden

Samsung verwendet in seinen 3-nm-Chips die Gate-All-Around-Transistorarchitektur (GAA). Die neue Architektur bringt PPA-Verbesserungen gegenüber FinFET, der älteren Architektur, die bis zu 4-nm-Chips verwendet wurde (TSMC verwendet immer noch FinFET und plant, nächstes Jahr mit seinen 2-nm-Chips auf GAA umzusteigen). Das koreanische Unternehmen möchte von einer frühen Einführung fortschrittlicher Transistortechnologie profitieren.

Laut Samsung sind „strukturelle Fortschritte wie Gate-All-Around (GAA) unabdingbar geworden, um den Energie- und Leistungsanforderungen“ des KI-Zeitalters gerecht zu werden. Das Unternehmen sagt, sein GAA-Prozess sei in den letzten zwei Jahren sowohl in Bezug auf Ertrag als auch Leistung deutlich gereift. Seine GAA-Produktion wird in den kommenden Jahren erheblich ausgebaut, da es auf 2-nm- und 1,4-nm-Halbleiterprozesstechnologien umsteigt.

Samsungs laufende Gießereiveranstaltung in den USA brachte auch Samsung AI Solutions mit sich, eine schlüsselfertige KI-Plattform, die die Stärken der Geschäftsbereiche Gießerei, Speicher und AVP (Advanced Package) des Unternehmens vereint. Kunden erhalten leistungsstarke, stromsparende und bandbreitenstarke Lösungen, die an ihre KI-Anforderungen angepasst werden können. Das koreanische Unternehmen plant, im Jahr 2027 eine All-in-One-KI-Lösung mit CPO-Integration aus einer Hand einzuführen.

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